

貿(mào)澤(深圳)實(shí)業(yè)有限公司
主營產(chǎn)品: 電子元器件
IRLB8314PBF-晶體管-FET
價(jià)格
訂貨量(PCS)
¥1.55
≥1
店鋪主推品 熱銷潛力款
钳钻钳钹钷钸钳钷钼钻钺
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一般信息
數(shù)據(jù)列表 IRLB8314PbF;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 50
包裝 管件
零件狀態(tài) 有源
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
系列 HEXFET?
其它名稱 64-0101PBF
64-0101PBF-ND
SP001572766
規(guī)格
FET 類型 N 通道
技術(shù) MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 171A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值) 2.4 毫歐 @ 68A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 100μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值) 5050pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 125W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
供應(yīng)商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3
