一般信息

數(shù)據(jù)列表       STB,F,P, W26NM60N;

標準包裝      50

包裝      管件 

零件狀態(tài)       有源

類別       分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

產(chǎn)品族    晶體管 - FET，MOSFET - 單個

系列       MDmesh? II

其它名稱       497-9064-5

 

規(guī)格

FET 類型       N 通道

技術(shù)       MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）       600V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)    20A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）      10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）      165 毫歐 @ 10A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）  4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）    60nC @ 10V

Vgs（最大值）     ±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）  1800pF @ 50V

FET 功能       -

功率耗散（最大值）    140W（Tc）

安裝類型       通孔

供應(yīng)商器件封裝    TO-220AB

封裝/外殼      TO-220-3