Infineon EVAL_1EDF_G1_HB_GAN評估板提供了一個平臺，用于評估采用通用半橋拓撲的GaN。通用拓撲可配置為升壓或降壓運行、脈沖測試或連續(xù)全功率運行。因此，該評估板幾乎可用于構(gòu)建所有轉(zhuǎn)換器和逆變器應(yīng)用。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN評估板支持輕松、快速地設(shè)置和測試CoolGANtm。該板設(shè)有測試點，可以輕松訪問以將信號連接到示波器，并測量CoolGaN?晶體管和柵極驅(qū)動器的開關(guān)性能。該器件可為用戶節(jié)省時間，讓他們可以不用顧及自己的柵極驅(qū)動器和電源電路的設(shè)計。

EVAL_1EDF_G1_HB_GAN由5V單電源輸入供電，具有單個PWM輸入，用于連接50Ω脈沖發(fā)生器。該半橋電路板能夠以硬開關(guān)或軟開關(guān)方式開關(guān)12A連續(xù)電流以及35A峰值電流。工作頻率可高達幾MHz，具體取決于晶體管的功耗。

特性

簡單的GaN半橋，帶專用GaN驅(qū)動器IC

能夠?qū)崿F(xiàn)多MHz開關(guān)頻率

零反向恢復(fù) – 可在硬開關(guān)或軟開關(guān)之間切換

GaN晶體管采用頂部冷卻，可實現(xiàn)高功耗

輕松設(shè)置和使用

多種配置可供選擇

評估GaN的高頻能力

評估具有低振鈴、過沖、EMI的波形

可在數(shù)千瓦的功率級下輕松進行評估

應(yīng)用

轉(zhuǎn)換器和逆變器應(yīng)用