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電源解決方案需要在寬帶寬范圍內(nèi)實現(xiàn)低輸出電壓噪聲(或低輸出紋波)，因為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)具有多個電源軌，其中噪聲靈敏度是設(shè)計的主要考慮因素。隨著FPGA對速度要求的提高，電源噪聲容差逐漸降低，以地減少誤碼。噪聲引起的數(shù)字故障會大大降低這些高速PLD的有效數(shù)據(jù)吞吐速率。大電流下的輸入電源噪聲成為對電源要求較嚴苛的規(guī)范之一。由于的幾何電路開關(guān)會產(chǎn)生高功耗，因此收發(fā)器速率越高(例如在FPGA中)，電流水平就越高。這些IC速度很快。它們可能在幾十至幾百納秒內(nèi)使負載電流從接近零到數(shù)安培循環(huán)，因此需要使用超快速瞬態(tài)響應(yīng)的穩(wěn)壓器。




使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給三星S10+充電，顯示電壓9.09V，電流1.62A，充電功率約為14.76W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給小米9充電，顯示電壓9.08V，電流1.76A，充電功率約為16.02W，開啟USBPD快充。使用東科18W高集成PD快充參考設(shè)計給華為P30Pro充電，顯示電壓9.1V，電流1.3A，充電功率約為11.83W，開啟USBPD快充。此外，東科18W高集成1A1C快充參考設(shè)計同樣具有小尺寸的特點，大小與蘋果18W快充相當，并且PCB板余量充足，客戶在設(shè)計時可以進一步壓縮PCB板尺寸。這套18W1A1C快充參考設(shè)計背面電路設(shè)計精簡，這也得益于DK218M以及DK5V85R15C的采用，初級和次級各用一顆即可實現(xiàn)AC-DC功能。




對于下側(cè)晶體管的基極只有比發(fā)射極低0.6V以后才能工作。所以，體現(xiàn)在波形上就會產(chǎn)生一個交越失真的盲區(qū)。不過，此電流稍加修改就是一個很好用的電路了，思路很簡單，用兩個二極管在每個晶體管的基極上加上大概0.6V的二極管的正向壓降--補償電壓，就可以抵消晶體管的盲區(qū)了。如下圖所示：此電路用兩個二極管的壓降抵消晶體管的基極-發(fā)射極間的電壓Vbe，可以認為晶體管的空載電流幾乎為0。所以當不存在信號時，就也沒有晶體管的發(fā)熱問題。順便提一下，這個電路中在輸出狀態(tài)總有一個晶體管處于截止狀態(tài)的電路稱之為B類放大器，舉一反三的，如果只有一個管子且晶體管常進行工作的電路稱之為A類放大器。