晶體管 SI1967DH-T1-GE3 VISHAY/威世 2019 SC70-6 工廠價(jià)格優(yōu)惠
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晶體管-SI1967DH-T1-GE3-VISHAY/威世-2019

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聯(lián)系人 姚少華

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發(fā)貨地 廣東省深圳市
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商品參數(shù)
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商品介紹
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聯(lián)系方式
數(shù)量 28600
Q Q 2530694866
類別 分立半導(dǎo)體
產(chǎn)品族 產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
FET 類型 2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
型號(hào) SI1967DH-T1-GE3
品牌 VISHAY/威世
批號(hào) 2019
封裝 SC70-6
交易說明 工廠價(jià)格優(yōu)惠
QQ 2530694866
商品介紹
一般信息
數(shù)據(jù)列表SI1967DH-T1-GE3
標(biāo)準(zhǔn)包裝  3,000
包裝  標(biāo)準(zhǔn)卷帶 
零件狀態(tài)有源
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列TrenchFET?
其它名稱SI1967DH-T1-GE3TR
SI1967DHT1GE3

規(guī)格
FET 類型2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）20V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.3A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）490 毫歐 @ 910mA，4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）4nC @ 8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）110pF @ 10V
功率 - 最大值1.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝SC-70-6（SOT-363）


聯(lián)系方式
公司名稱 深圳市米萊歐科技有限公司
聯(lián)系賣家 姚少華 （QQ：2530694866）
電話 㠖㠔㠓㠓-㠚㠙㠔㠚㠖㠛㠛㠛
手機(jī) 㠗㠙㠔㠒㠓㠓㠘㠖㠒㠒㠒
傳真 㠖㠔㠓㠓-㠚㠒㠚㠖㠖㠚㠚㠘
地址 廣東省深圳市
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