二極管的特性舉例

反向擊穿特性：二極管擊穿時的V-I特性

當增加反向電壓時， 因在一定溫度條件下， 少數(shù)載流子數(shù)目有限，故起始一段反向電流沒有多大變化，當反向電壓增加到一定大小時，反向電流劇增，這叫做二極管的反向擊穿， 對應于第③段，其原因與PN結擊穿相同。

過去，硅TVS器件由于電容高，在保護低壓高速信號線路方面存在劣勢。然而，近年來的技術進步消除了這種不利因素。安森美半導體的新產品ESD9L5.0將硅器件保護的優(yōu)勢與高速應用要求的低電容結合在一起。這個產品的特性就像一個簡單的齊納二極管。事實上，ESD9L5.0包含一個擊穿電壓低的齊納二極管和一對擊穿電壓高(因而電容小)的標準二極管。

公司分銷：AMAZING、ROHM、NXP、ON、Panasoic、TOSHIBA、HITACHI、FAIRCHILD、IR 等各種片狀穩(wěn)壓、ESD靜電保護，TVS抑制管，高分子ESD保護，場效應、達林頓、變容、二、三極管。經(jīng)銷的產品廣泛用于消費累電子、LED、家電、網(wǎng)絡通訊、安防、汽車電子、航空、電表、儀器儀表、電源、計算機及外設等行業(yè)。